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  • 型号: MT49H32M18CBM-18:B TR
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT49H32M18CBM-18:B TR由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT49H32M18CBM-18:B TR价格参考。Micron Technology IncMT49H32M18CBM-18:B TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT49H32M18CBM-18:B TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT49H32M18CBM-18:B TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT49H32M18CBM-18:B TR 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,主要用于需要高速数据处理和大容量内存的应用场景。

该型号广泛应用于通信设备、服务器、工业控制、网络设备以及嵌入式系统等领域。例如,在通信基础设施中,可用于基站、交换机和路由器,以提高数据传输效率和系统响应速度;在工业自动化领域,可为高性能控制器和数据采集系统提供稳定可靠的内存支持;在视频监控或图像处理系统中,该内存模块也能有效支撑高分辨率图像的快速缓存与处理。

此外,MT49H32M18CBM-18:B TR 还适用于航空航天、车载电子等对可靠性和稳定性要求较高的高端嵌入式系统。其工作温度范围宽、抗干扰能力强,适合在复杂环境下长时间运行。

总之,这款存储器主要面向需要高性能、高稳定性和大容量内存支持的专业级应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC RLDRAM 576MBIT 1.875NS UBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MT49H32M18CBM-18:B TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

144-µBGA (18.5x11)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

RLDRAM 2

存储容量

576M(32M x 18)

封装/外壳

144-TFBGA

工作温度

0°C ~ 95°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

1.875ns

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